NMOS vs PMOS
FET (Field Effect Transistor) je zařízení řízené napětím, kde se jeho schopnost přenášet proud mění elektronickým polem. Běžně používaným typem FET je kovový oxidový polovodičový FET (MOSFET). MOSFET jsou široce používány v integrovaných obvodech a vysokorychlostních spínacích aplikacích. MOSFET pracuje indukcí vodivého kanálu mezi dvěma kontakty zvanými zdroj a odtok pomocí napětí na oxidově izolované hradlové elektrodě. Existují dva hlavní typy MOSFET zvané nMOSFET (běžně známé jako NMOS) a pMOSFET (běžně známé jako PMOS) v závislosti na typu nosných proudících kanálem.
Co je to NMOS?
Jak již bylo zmíněno dříve, NMOS (nMOSFET) je typ MOSFET. Tranzistor NMOS je tvořen zdrojem a odtokem typu n a substrátem typu p. Když je na bránu přivedeno napětí, jsou otvory v těle (substrát typu p) odváděny od brány. To umožňuje vytvoření kanálu typu n mezi zdrojem a odtokem a proud je veden elektrony ze zdroje do odtoku indukovaným kanálem typu n. Logické brány a další digitální zařízení implementovaná pomocí NMOS mají logiku NMOS. V NMOS existují tři provozní režimy, které se nazývají cut-off, trioda a saturace. Logika NMOS se snadno navrhuje a vyrábí. Ale obvody s logickými hradly NMOS rozptýlí statický výkon, když obvod běží na volnoběh, protože stejnosměrný proud protéká logickou bránou, když je výstup nízký.
Co je PMOS?
Jak již bylo zmíněno dříve, PMOS (pMOSFET) je typ MOSFET. Tranzistor PMOS je tvořen zdrojem a odtokem typu p a substrátem typu n. Když je mezi zdrojem a hradlem přivedeno kladné napětí (záporné napětí mezi hradlem a zdrojem), vytvoří se mezi zdrojem a odtokem kanál p typu s opačnou polaritou. Proud je veden otvory ze zdroje do odtoku indukovaným kanálem typu p. Vysoké napětí na bráně způsobí, že PMOS nebude vést, zatímco nízké napětí na bráně způsobí jeho vedení. Logické brány a další digitální zařízení implementovaná pomocí PMOS mají logiku PMOS. Technologie PMOS je levná a má dobrou odolnost proti šumu.
Jaký je rozdíl mezi NMOS a PMOS?
NMOS je postaven se zdrojem a odtokem typu n a substrátem typu p, zatímco PMOS je postaven se zdrojem a odtokem typu p a substrátem typu n. V NMOS jsou nosiči elektrony, zatímco v PMOS jsou nosiče díry. Když je na bránu přivedeno vysoké napětí, NMOS bude dirigovat, zatímco PMOS nebude. Kromě toho, když je v bráně aplikováno nízké napětí, NMOS nebude provádět a PMOS bude provádět. NMOS jsou považovány za rychlejší než PMOS, protože nosiče v NMOS, které jsou elektrony, cestují dvakrát rychleji než díry, které jsou nosiči v PMOS. Zařízení PMOS jsou však odolnější vůči hluku než zařízení NMOS. Kromě toho by integrované obvody NMOS byly menší než integrované obvody PMOS (které poskytují stejnou funkčnost), protože NMOS může poskytovat polovinu impedance poskytované PMOS (který má stejnou geometrii a provozní podmínky).
