Video: Rozdíl Mezi IGBT A MOSFET
2024 Autor: Mildred Bawerman | [email protected]. Naposledy změněno: 2023-12-16 08:37
IGBT vs MOSFET
MOSFET (tranzistor s polovodičovým polem s kovovým oxidem) a IGBT (bipolární tranzistor s izolovaným hradlem) jsou dva typy tranzistorů a oba patří do kategorie hradlových pohonů. Obě zařízení mají podobně vypadající struktury s odlišným typem polovodičových vrstev.
Tranzistor s efektem pole polovodičového oxidu kovu (MOSFET)
MOSFET je typ tranzistoru s efektem pole (FET), který je vyroben ze tří terminálů známých jako „Gate“, „Source“a „Drain“. Zde je odtokový proud řízen napětím hradla. Proto jsou MOSFETy zařízení řízená napětím.
MOSFETy jsou k dispozici ve čtyřech různých typech, jako je n kanál nebo p kanál, buď v režimu vyčerpání nebo vylepšení. Odtok a zdroj jsou vyrobeny z polovodiče typu n pro M kanály M kanálu s n kanálem a podobně pro zařízení s kanálem p. Brána je vyrobena z kovu a oddělena od zdroje a odtoku pomocí oxidu kovu. Tato izolace způsobuje nízkou spotřebu energie a je výhodou pro MOSFET. Proto se MOSFET používá v digitální logice CMOS, kde se jako stavební bloky pro minimalizaci spotřeby energie používají MOSFETy s kanálem p a n.
Ačkoli byl koncept MOSFET navržen velmi brzy (v roce 1925), byl prakticky implementován v roce 1959 v laboratořích Bell.
Izolovaný bipolární tranzistor (IGBT)
IGBT je polovodičové zařízení se třemi svorkami známými jako 'Emitter', 'Collector' a 'Gate'. Jedná se o typ tranzistoru, který dokáže zpracovat větší množství energie a má vyšší spínací rychlost, díky čemuž je vysoce efektivní. IGBT byla uvedena na trh v 80. letech.
IGBT má kombinované vlastnosti jak MOSFET, tak bipolárního spojovacího tranzistoru (BJT). Je poháněn bránou jako MOSFET a má charakteristiky proudového napětí jako BJT. Proto má výhody jak vysokého proudu manipulační schopnosti, tak snadného ovládání. Moduly IGBT (skládající se z řady zařízení) zvládnou výkon kilowattů.
Rozdíl mezi IGBT a MOSFET 1. Ačkoli IGBT i MOSFET jsou napěťově řízená zařízení, IGBT má charakteristiky vedení jako BJT. 2. Terminály IGBT jsou známé jako emitor, kolektor a hradlo, zatímco MOSFET je vyroben z hradla, zdroje a odtoku. 3. IGBT jsou lepší v manipulaci s výkonem než MOSFETY 4. IGBT má PN spojení a MOSFETy je nemají. 5. IGBT má nižší pokles napětí vpřed ve srovnání s MOSFET 6. MOSFET má ve srovnání s IGBT dlouhou historii |
Doporučená:
Rozdíl Mezi BJT A IGBT
BJT vs IGBT BJT (bipolární spojovací tranzistor) a IGBT (bipolární tranzistor s izolovanou bránou) jsou dva typy tranzistorů používaných k řízení proudů. Oba devi
Rozdíl Mezi IGBT A GTO
IGBT vs GTO GTO (Gate Turn-off Thyristor) a IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) jsou dva typy polovodičových součástek se třemi svorkami. Oba
Rozdíl Mezi IGBT A Tyristorem
IGBT vs tyristor Tyristor a IGBT (bipolární tranzistor s izolovanou bránou) jsou dva typy polovodičových zařízení se třemi svorkami a oba jsou u
Rozdíl Mezi MOSFET A BJT
MOSFET vs BJT Transistor je elektronické polovodičové zařízení, které poskytuje velmi se měnící elektrický výstupní signál pro malé změny v malém vstupním znaménku
Rozdíl Mezi Klíčovým Rozdílem Mezi Kovovými A Nekovovými Minerály
Klíčový rozdíl - kovové vs. nekovové minerály Minerál je přirozeně se vyskytující pevná a anorganická složka s určitým chemickým vzorcem a