BJT vs SCR
BJT (Bipolar Junction Transistor) a SCR (Silicon Controlled Rectifier) jsou polovodičová zařízení se střídavými polovodičovými vrstvami typu P a N. Používají se v mnoha přepínacích aplikacích z mnoha důvodů, jako je účinnost, nízké náklady a malá velikost. Oba jsou tři koncová zařízení a poskytují dobrý rozsah řízení proudu s malým řídicím proudem. Obě tato zařízení mají výhody závislé na aplikaci.
Bipolární tranzistor (BJT)
BJT je typ tranzistoru a skládá se ze dvou PN přechodů (spojení vytvořené připojením polovodiče typu AP a polovodiče typu N). Tyto dva spoje jsou vytvořeny spojením tří polovodičových součástek v pořadí PNP nebo NPN. Tam pro dva typy BJT známé jako PNP a NPN.
K těmto třem polovodičovým částem jsou připojeny tři elektrody a střední elektroda se nazývá „základna“. Další dva uzly jsou „emitor“a „sběratel“.
V BJT je proud velkého kolektoru (I c) řízen proudem malého základního emitoru (I B) a tato vlastnost je využívána k navrhování zesilovačů nebo spínačů. Tam to lze považovat za zařízení poháněné proudem. BJT se většinou používá v obvodech zesilovačů.
Křemíkem řízený usměrňovač (SCR)
SCR je typ tyristoru a je široce používán v současných aplikacích usměrňování. SCR je vyroben ze čtyř střídavých polovodičových vrstev (ve formě PNPN), a proto se skládá ze tří PN spojů. V analýze se to považuje za těsně spárovaný pár BJT (jeden PNP a druhý v konfiguraci NPN). Nejvzdálenější polovodičové vrstvy typu P a N se nazývají anoda a katoda. Elektroda připojená k vnitřní polovodičové vrstvě typu P je známá jako „brána“.
Při provozu působí SCR vodivě, když je bráně poskytnut impuls. Funguje ve stavu „zapnuto“nebo „vypnuto“. Jakmile je brána spuštěna pulzem, SCR přejde do stavu „zapnuto“a pokračuje ve vedení, dokud proud v propustném směru neklesne pod prahovou hodnotu známou jako „udržovací proud“.
SCR je silové zařízení a většinou se používá v aplikacích, kde se vyskytují vysoké proudy a napětí. Nejpoužívanější aplikací SCR je řízení (usměrňování) střídavých proudů.
Stručně:
Rozdíl mezi BJT a SCR
1. BJT má pouze tři vrstvy polovodičů, zatímco SCR má čtyři vrstvy.
2. Tři terminály BJT jsou známé jako emitor, kolektor a základna, zatímco SCR má terminály známé jako anoda, katoda a hradlo
3. SCR je v analýze považován za pevně spojený pár tranzistorů.
